Aufgrund der kurzen Lichtwellenlänge zieht die Entwicklung der Halbleiterlithographie hin zum EUV-Spektralbereich enorme Anforderungen an die Qualität von Oberflächen und Schichten nach sich. Am Fraunhofer IOF wurde ein Verfahren entwickelt, das die großflächige und sensitive Charakterisierung von EUV-Spiegelsubstraten vor der Beschichtung ermöglicht. Darüber hinaus wurde ein System zur wellenlängenspezifischen Charakterisierung der Reflexions- und Streulichteigenschaften von EUV-Schichtsystemen bei 13,5 nm entwickelt. Zusammen mit den vorhandenen Modellierungstechniken ergibt sich so eine geschlossene Charakterisierungskette für EUV-Komponenten.
