Elektrostatische Chucks

Motivation

Halbleitersubstrate wie Si-Wafer oder Masken für die nächste Lithographie-Generation im extremen Ultraviolett (EUVL) werden im Vakuum gehandhabt.

Für nm-Strukturen und exaktes Overlay ist die Reproduzierbarkeit der Substrat-Ebenheit ganz entscheidend, da Unebenheiten zu Strukturverzerrungen führen. Partikel sind problematisch und Wärmeeintrag sowie thermische Ausdehnung müssen bedacht werden.

Mechanische Klemmvorrichtungen (3-Punkt-Aufhängungen) verursachen durchhängende Substrate, Abrieb und schlechten Wärmekontakt.

Das elektrostatische „Klemmen“ auf einem Chuck mit “Null-Ausdehnung” ist eine Alternative. Durch eine elektrische Spannung zwischen den Chuck-Elektroden kann das Substrat festgehalten und ggf. sogar eingeebnet werden.

 

Vorteile

  • Substrathalter höchster Ebenheit (< 50 nm PV für Chucks für die EUVL-Masken) durch Präzisionsfertigung
  • Thermische Invarianz durch “Null-Ausdehnungs”-Materialien
  • Elektrostatische Kräfte (schaltbar und verstellbar)
  • Abrieb und Partikelgenerierung sind vernachlässigbar
  • Pin-strukturierte Oberfläche minimiert Partikel-Risiko
  • Leichtgewichtsausführung und Kühlkanäle sind möglich

 

Unser Angebot

Das Fraunhofer IOF entwickelt elektrostatische Chucks höchster Ebenheit für Lithographie-Anwendungen. Uni-polare und multi-polare Elektrodenstrukturen kommen zum Einsatz:

  • Entwicklung (CAD/FEM-Simulation) von Wafer-Chucks der kommenden Generation (Si-Wafer mit Durchmesser 450 mm) für 22 nm node und weniger
  • Durchmesser bis 12 Zoll
  • Vakuum-kompatibel, unmagnetisch
  • Chuck-Materialien mit minimaler („Null“)  thermischer Ausdehnung
  • Oberflächen-Strukturierung mit Waffel- oder Pin-Mustern
  • angelehnt an SEMI P40
  • kinematische Chuck-Befestigung
  • Chuck-Charakterisierung
  • Integration in Handling- und Metrologie-Systeme
  • Sensor-Integration