Motivation
Vor-Ort Charakterisierung optischer Komponenten für die EUV Lithographie.
Systemparameter
- Arbeitswellenlänge: 13,5 nm
- Einfallswinkel: 1,5° - 85°
- Winkelauflösung: 0,01°
- Sensitivität: 10-5
Umsetzung
Labor-basiertes Messsystem: Measurement of EUV Reflectance und Scattering - MERLIN
Unser Angebot
- Messung von:
- EUV Reflexion
- Winkelaufgelöstem Streulicht
- Weitergehende Analyse:
- Bestimmung des Totalen Streulichts
- Messung der Struktureigenschaften
- Entwicklung maßgeschneideter EUV-Messsysteme